實驗室研究的所有半導體器件Z常見的電特性分析方法

更新時間：2014-12-23 閱讀：2880

實驗室研究的所有半導體器件zui常見的電特性分析方法

半導體器件 / 微電子實驗室是現代電子工程教育課程的一個主要部分。它允許大學生應用他們在器件物理學和 VLSI 課程學到的內容。在半導體器件實驗課程中，學生通過“自己動手"學習半導體微米 / 納米制造技術、工藝和電特性分析。教育經驗包括熟悉工藝設計、仿真和集成。當理解了這些概念后，學生將制造、分析和評估各種半導體器件，例如二極管、雙極晶體管和場效應晶體管、無源元件乃至集成電路器件。

對于實驗室研究的所有半導體器件，zui常見的電特性分析方法是：

MOSFET 的典型 I-V 圖

典型 C-V 測線圖

1.電流與電壓 (I-V) 測試顯示了流過的直流電流和電子器件以及器件兩端直流電壓之間的關系。

2.電容與電壓 (C-V) 測試用于分析半導體材料和結構參數，例如表面俘獲電荷密度、固定電荷和氧化層電荷。

測量范例

半導體器件 / 微電子教學實驗室典型的主題包括制造和分析各種器件：

	1. MOS 電容器
	主題

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
摻雜類型 – 氧化層厚度 – 平帶電壓 – 閾值電壓 – 襯底摻雜 – zui大耗盡層寬度 – 反型層到平衡的靈敏度：電壓掃描率和方向 – 光效應和溫度效應。

I-V 曲線分析：
電荷建立 (測量電壓 - 時間圖，用低電流源)；氧化層電容測定；與 C-V 曲線比較。

C-V 曲線 (準靜態) 結合 C-V 曲線：
表面電位 Ψ_s 與施加電壓的關系 – Si (100) 的表面態密度 D_it = f (Ψ_s) 與 Si (111) 的相比：方向和后處理退火的影響。

C-V 曲線 (高頻：100kHz)：
移動氧化層電荷密度 (偏壓溫度應力：200°C，10 分鐘，±10V)

	2. 雙極結型晶體管
	主題

正向共發射極輸出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 測量。

正向 CE 輸入特性：Ib = f (Vbe) 對于幾個 Vce 正值。

正向 Gummel 曲線： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).

確定增益 βf = Ic/Ib 和 af。

Βf 與 log(Ic) 的關系： 低注入和高注入的效果。

非理想特性：爾利電壓。

反向 CE 輸出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).

反向 CE 傳輸特性：Ib=f(Vbe) 對于幾個Vce負值。

反向 Gummel 曲線： logIe, logIb=f(Vbc>0).

確定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。

Βr 與 log(Ie) 的關系： 低注入和高注入的效果。

Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 確定，對于給定的 Ib 電流。

Ebers Moll 模型構建并且與實驗做比較。

BE 和 CE 結的 C-V 特性分析?；鶇^摻雜濃縮。

	3. 亞微米集成 MOSFET
	主題

輸出特性：IDS = f(V_DS,V_GS):
p型 MOSFET (增強或耗盡)，溝道長度調制參數(λ) 在飽和區域 (V_DS<–3V) 有效溝道長度與 V_DS 的關系。

傳輸特性：
I_DS = f(V_GS) and Transconductance g_m = f(V_GS) in the linear region (V_DS = –0.1V): Determination of the threshold voltage V_T and of the transconductance factor k. Derivation of the effective channel mobility μ_eff as function of V_GS.

襯底偏壓特性：
I_DS = f(V_GS,V_BS>0), determination of the γ factor in the linear region (V_DS = –0.1V). Doping concentration substrate.

亞閾值特性：
log (I_DS) = f(V_GS) for several high V_DS values: Drain Induced Barrier Lowering (V_T shift) effect.

襯底電流特性：
log (I_bs) = f(V_GS) for several high V_DS values: Hot carrier injection effects. Incidence on output characteristics at high drain levels.

使用長溝道和短溝道公式的輸出特性模型：
比較實驗結果。

版

ACS 基礎版能讓工程專業學生在學習基礎電子器件過程中獲得的學習效果并且幫助研究生加快下一代半導體或納米級器件的特性分析研究。當配合一臺或多臺 2600A 系列數字源表使用時，ACS 基礎版成為一款強大但簡單易用的元件特性分析和曲線追蹤工具。它具有全面的參數分析套件，因此能快捷地提供理解基本電子器件如何工作或者理解新型器件或材料氣的電特性所需的測試結果。


當您需要快速獲取電子器件或封裝產品的某些數據時，為 ACS 基礎版開發并基于向導的用戶接口能像常見的 FET 曲線跟蹤測試那樣容易地查找和運行您需要的測試。	與傳統模擬曲線跟蹤軟件非常類似，ACS 基礎版能快速產生電子器件或封裝產品的一系列曲線，而且能靈活、容易地對結果進行保存、比較和關聯。

主要特性和優點：

測量時間短 – 安裝簡單、直觀的測試選擇向導并且內建測試；
無需編寫代碼 - ACS 具有直觀的 GUI 能快速簡化 I-V 測試、分析和結果；
優化器件測試、驗證和分析應用；
硬件靈活性 – 動態地加入或移除設備以滿足獨立測試的需要；
預裝應用庫 – 一組極豐富的超快、易于訪問的測試庫；
模塊化的靈活軟件架構便于擴展系統并使系統應用能滿足的測試需要；
免費可選后臺軟件許可，能容易地在另一臺PC上開發新的測試序列，無需掛起正在執行工作的系統。

上一篇：KPCI-3130型8通道PCI板，帶模擬輸出和數字I/O

下一篇：德國EA電源華東地區總代理

国产精品尹人在线观看免费-国产精品尤物-国产精品又黄又爽又色视频-国产精品原创巨作av-青青久久国产-青青久久精品

實驗室研究的所有半導體器件Z常見的電特性分析方法